CTA2N1P-7 المضاربه : 60V; 150mW complex transistor array. Guard ring construction for transient protection

CTA2N1P-7 مماثلة

CTA2N1P-7
- 60V; 150mW complex transistor array. Guard ring construction for transient protection
CTA2P1N-7
- 40V; 150mW complex transistor array

CTA2N1P-7 Datasheet والمضاربه

الصانع : Diodes

التعبءه : SOT-363

دبابيس : 6

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 67 KB

التطبيق : 60V; 150mW complex transistor array. Guard ring construction for transient protection