المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Diodes Datasheet > BS817
BS817 المضاربه : 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
المسار :OKDatasheet > اشباه الموصلات datasheet > Diodes Datasheet > BS817
BS817 المضاربه : 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor
الصانع : Diodes
التعبءه : SOT-23
دبابيس : 3
درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C
حجم : 63 KB
التطبيق : 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor