BS817 مماثلة

  • BS817
    • 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor

BS817 Datasheet والمضاربه

الصانع : Diodes 

التعبءه : SOT-23 

دبابيس : 3 

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 63 KB

التطبيق : 200V; P-channel enchancement mode field effect transistor 

BS817 تحميل PDF