BS208 المضاربه : 240V; 200mA P-channel enchancement mode DMOS transistor. Specially suited for telephone subsets

BS208 مماثلة

BS208
- 240V; 200mA P-channel enchancement mode DMOS transistor. Specially suited for telephone subsets

BS208 Datasheet والمضاربه

الصانع : Diodes

التعبءه :

دبابيس : 3

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 68 KB

التطبيق : 240V; 200mA P-channel enchancement mode DMOS transistor. Specially suited for telephone subsets