BS107 المضاربه : 200V; 120mA N-channel enchancement mode transistor. Specially suited for telephone subsets

BS107 مماثلة

BS107
- 200V; 120mA N-channel enchancement mode transistor. Specially suited for telephone subsets

BS107 Datasheet والمضاربه

الصانع : Diodes

التعبءه :

دبابيس : 3

درجة الحراره : دقيقة -55 °C | الاقصى 150 °C

حجم : 67 KB

التطبيق : 200V; 120mA N-channel enchancement mode transistor. Specially suited for telephone subsets