okDatasheet.com

W4TXE0X-0D00 مماثلة

  • W4TXE0X-0D00
    • Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

W4TXE0X-0D00 Datasheet والمضاربه

الصانع : Cree 

التعبءه :  

دبابيس : 0 

درجة الحراره : دقيقة 0 °C | الاقصى 0 °C

حجم : 306 KB

التطبيق : Diameter 76.2mm; lsemi-insulating (prototype); silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition 

W4TXE0X-0D00 تحميل PDF