AJT006 مماثلة

  • AJT006
    • NPN silicon RF power transistor
  • AJT015
    • NPN silicon RF power transistor
  • AJT030
    • NPN silicon RF power transistor

AJT006 Datasheet والمضاربه

الصانع : ASI 

التعبءه :  

دبابيس : 2 

درجة الحراره : دقيقة -65 °C | الاقصى 250 °C

حجم : 18 KB

التطبيق : NPN silicon RF power transistor 

AJT006 تحميل PDF